[发明专利]图像传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410095928.9 申请日: 2004-09-29
公开(公告)号: CN1607675A 公开(公告)日: 2005-04-20
发明(设计)人: 柳尚旭 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种可提高光电二极管的光收集效能的图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括:至少一形成于半导体衬底上的光电二极管;形成于光电二极管上的多层层间绝缘膜,多层层间绝缘膜至少两层堆积,从而当多层层间绝缘膜往上时上层间绝缘膜的密度变得小于下层间绝缘膜的密度;光屏蔽层和元件保护膜,依次堆积在多层层间绝缘膜上;彩色滤色器阵列和平整层,依次堆积在元件保护膜上;以及置于平整层上与滤色器对应的位置的微透镜。因此,通过随着多层层间绝缘膜往上使得其密度变小,以减小通过微透镜和滤色器透过的入射光的折射角,本发明可以改善具有到达光电二极管的垂直光的增强透射率的光电二极管的光收集效能。
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:至少一光电二极管,其形成于半导体衬底上;多层层间绝缘膜,形成于光电二极管上并且至少两层叠积,从而当多层层间绝缘膜往上时,上层间绝缘膜的密度变得小于下层间绝缘膜的密度;光屏蔽层和元件保护膜,依次堆积在多层层间绝缘膜上;彩色滤色器阵列和平整层,依次堆积在元件保护膜上;以及微透镜,置于平整层上与彩色滤色器对应的位置。
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