[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200410095983.8 | 申请日： | 2004-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1610006A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 松浦正则 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/14;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;马莹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了防止产生直通电流和降低峰值电流，而不会恶化读取操作的高速特性。至少一个晶体管(MPX)连接在采用CMOS反相器(MP0和MN0等)形成的多个字线驱动单元电路与源电位(Vcc)之间。该晶体管(MPX)受与字线驱动单元电路的控制信号(AB－0～AB－n)分离的控制信号(DECENB)的独立控制，并且具有通过调整定时实现的防止直通电流的功能和通过限制电流实现的峰值电流降低功能。即使在同时驱动全部字线(SWL0～SWLn)时，也可以限制电流并抑制峰值电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储元件部分，具有在字线和位线的交叉点处提供的存储单元；和字线驱动部分，用于驱动存储元件部分中的字线，所述字线驱动部分包括：多个字线驱动单元电路，其中一条字线与具有不同导电类型的两个MOS晶体管共同连接的漏极相连接，向两个MOS晶体管共同连接的栅极提供第一控制信号；在每个字线驱动单元电路与源电位之间提供的至少一个晶体管，其具有的电量不低于每个字线驱动单元电路的电流提供量，并且不高于全部字线驱动单元电路的电流提供量，其工作受与第一控制信号分离的第二控制信号的控制；控制信号发生电路，用于产生第一和第二控制信号。
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