[发明专利]磁性隧道结单元及磁性随机存取存储器有效
| 申请号： | 200410095989.5 | 申请日： | 2004-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1617258A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 金泰完;朴祥珍;黄仁俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了磁性隧道结单元及磁性随机存取存储器。磁性隧道结(MTJ)单元包括具有低磁矩的自由磁层，磁性随机存取存储器(MRAM)包括MTJ单元。MRAM的MTJ单元包括：下电极；和顺序地堆叠在下电极上的下磁层、隧道层、上磁层和上电极。上磁层包括厚度为5nm或更小的自由磁层。MTJ单元的纵横比可以是2或更小，自由磁层的磁矩可以是800emu/cm3或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 单元 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结单元，包括：下电极；及顺序地堆叠在下电极上的下磁层、隧道层、上磁层及上电极，其中上磁层包括厚度为5nm或更小的自由磁层。
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