[发明专利]电流源装置无效
申请号: | 200410096086.9 | 申请日: | 2004-11-29 |
公开(公告)号: | CN1782939A | 公开(公告)日: | 2006-06-07 |
发明(设计)人: | 姚海霆;吴小晔;李梅 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/10 | 分类号: | G05F1/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种电源领域的电流源装置,包括2个NMOS晶体管M0、M1;3个PMOS晶体管M2、M3、M4和1个电阻R;电阻R的一端和M4的源极相连接,并连接到电源电压VDD上;电阻R的另一端和M3的源极相连接,M4的栅极和漏极相连接,并连接到M2的源极上;M3的的栅极和M2的栅极相连接,并连接到M2的漏极和M0的漏极上;M3的漏极和M1的漏极相连接,并连接到M0和M1的栅极上;M0和M1的源极相连接,并连接到电源地GND上。本发明具有器件少、功耗低、设计简单、可靠性高等特点。 | ||
搜索关键词: | 电流 装置 | ||
【主权项】:
1、一种电流源装置,其特征在于,包括2个NMOS晶体管M0、M1;3个PMOS晶体管M2、M3、M4和1个电阻R;所述电阻R的一端和PMOS晶体管M4的源极相连接,并连接到电源电压VDD上;电阻R的另一端和PMOS晶体管M3的源极相连接,PMOS晶体管M4的栅极和漏极相连接,并连接到PMOS晶体管M2的源极上;PMOS晶体管M3的的栅极和PMOS晶体管M2的栅极相连接,并连接到PMOS晶体管M2的漏极和NMOS晶体管M0的漏极上;PMOS晶体管M3的漏极和NMOS晶体管M1的漏极相连接,并连接到NMOS晶体管M0和NMOS晶体管M1的栅极上;NMOS晶体管M0和NMOS晶体管M1的源极相连接,并连接到电源地GND上;如果所有的MOS晶体管都工作在饱和区,则流经晶体管M0的电流I与电源电压无关。
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