[发明专利]电流源装置无效

专利信息
申请号: 200410096086.9 申请日: 2004-11-29
公开(公告)号: CN1782939A 公开(公告)日: 2006-06-07
发明(设计)人: 姚海霆;吴小晔;李梅 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: G05F1/10 分类号: G05F1/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种电源领域的电流源装置,包括2个NMOS晶体管M0、M1;3个PMOS晶体管M2、M3、M4和1个电阻R;电阻R的一端和M4的源极相连接,并连接到电源电压VDD上;电阻R的另一端和M3的源极相连接,M4的栅极和漏极相连接,并连接到M2的源极上;M3的的栅极和M2的栅极相连接,并连接到M2的漏极和M0的漏极上;M3的漏极和M1的漏极相连接,并连接到M0和M1的栅极上;M0和M1的源极相连接,并连接到电源地GND上。本发明具有器件少、功耗低、设计简单、可靠性高等特点。
搜索关键词: 电流 装置
【主权项】:
1、一种电流源装置,其特征在于,包括2个NMOS晶体管M0、M1;3个PMOS晶体管M2、M3、M4和1个电阻R;所述电阻R的一端和PMOS晶体管M4的源极相连接,并连接到电源电压VDD上;电阻R的另一端和PMOS晶体管M3的源极相连接,PMOS晶体管M4的栅极和漏极相连接,并连接到PMOS晶体管M2的源极上;PMOS晶体管M3的的栅极和PMOS晶体管M2的栅极相连接,并连接到PMOS晶体管M2的漏极和NMOS晶体管M0的漏极上;PMOS晶体管M3的漏极和NMOS晶体管M1的漏极相连接,并连接到NMOS晶体管M0和NMOS晶体管M1的栅极上;NMOS晶体管M0和NMOS晶体管M1的源极相连接,并连接到电源地GND上;如果所有的MOS晶体管都工作在饱和区,则流经晶体管M0的电流I与电源电压无关。
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