[发明专利]用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法无效
| 申请号： | 200410096391.8 | 申请日： | 2004-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1637100A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | B·L·米勒;徐浩峰 | 申请（专利权）人： | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C08J5/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了适用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的水性组合物，该组合物包含0.001至1wt％的季铵化合物，0.001至1wt％的邻苯二甲酸和它的盐，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的研磨剂和余量的水。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 机械抛光 氧化 氮化 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的水性组合物，该组合物包含0.001至1wt％的季铵化合物，0.001至1wt％的邻苯二甲酸和它的盐，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的研磨剂和余量的水。
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