[发明专利]电镀装置、电镀方法和半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200410096554.2 申请日: 2004-11-30
公开(公告)号: CN1624208A 公开(公告)日: 2005-06-08
发明(设计)人: 丰田启;松井嘉孝;八寻和之;山边纯成;三岛志朗;永松贵人 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: C25D7/12 分类号: C25D7/12;C25D5/18;H01L21/768;H01L21/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;李峥
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据本发明的一个实施例,提供一种电镀装置,包括:贮存电镀溶液的电镀溶液槽;在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器;放在电镀溶液槽中的第一阳极,该第一阳极由氧化-还原电位比构成籽晶层的金属的氧化-还原电位更高的阳极金属构成,并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上;以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极,该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。
搜索关键词: 电镀 装置 方法 半导体器件 制造
【主权项】:
1.一种电镀装置,包括:贮存电镀溶液的电镀溶液槽;在所述电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器;放在所述电镀溶液槽中的第一阳极,该第一阳极由氧化-还原电位比构成籽晶层的金属的氧化-还原电位更高的阳极金属构成,并且电连接到由所述固定器固定的衬底的籽晶层上;以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极,该第二阳极能够在其与由所述固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。
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