[发明专利]事件良率关联分析系统及方法以及计算机可读取储存媒体有效

专利信息
申请号: 200410096584.3 申请日: 2004-12-03
公开(公告)号: CN1783065A 公开(公告)日: 2006-06-07
发明(设计)人: 邱文仁;萧维勤;蓝玉洁;祈孝麟;陈信雄;吴冠良;许嘉慧;游明苍 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G06F17/30 分类号: G06F17/30;G06Q10/00;H01L21/66
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李强
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种事件良率关联分析系统及方法以及计算机可读取储存媒体,其系统包括一数据库与一纪录分析单元。数据库用来储存事件纪录、影响纪录以及良率纪录。纪录分析单元依据影响纪录筛选出受影响半导体对象以及未受影响半导体对象,依据良率纪录,计算受影响半导体对象的第一平均良率以及未受影响半导体对象的第二平均良率,使用假设检定方法,检定第二平均良率是否大于第一平均良率。
搜索关键词: 事件 关联 分析 系统 方法 以及 计算机 读取 储存 媒体
【主权项】:
1.一种事件良率关联分析系统,包括:一数据库,是用以储存至少一个事件纪录、至少一个影响纪录以及至少一个良率纪录,该事件纪录用以储存影响晶片良率的至少一个事件类型,该影响纪录用以储存关联于该事件类型在特定时间点所发生的事件以及至少一个受影响半导体对象,该良率纪录用以储存经测试后的多个晶片良率,包括该受影响半导体对象的良率;以及一纪录分析单元,耦接于该数据库,用以输入该影响纪录以及该良率纪录,依据该影响纪录筛选出该受影响半导体对象以及至少一个未受影响半导体对象,依据该良率纪录,计算该受影响半导体对象的一第一平均良率以及该未受影响半导体对象的一第二平均良率,使用一假设检定方法,检定该第二平均良率是否大于该第一平均良率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410096584.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top