[发明专利]非挥发性存储器结构及其制造方法

摘要

在本发明的非挥发性存储器中，选择闸是形成于浮动/控制闸堆叠的侧壁上方的自对准间壁，利用同一个掩膜(1710)可以进行从源极线(144)上方移除选择闸层、蚀刻在源极线区域内的沟槽绝缘层、掺杂源极线等步骤，这种存储器可以形成于独立的基板区域内部或上方，在蚀刻沟槽绝缘层之前可以至少部分掺杂源极线，借此隔离基板区域与下方结构，以避免短路；这种存储器可以区块(sector)抹除；或是执行晶片抹除操作以并联抹除所有的胞元；周边电晶体栅极和选择闸可以由同一层形成，选择闸间壁有延伸物，可以自上方金属线作成低电阻接触；至于在机械或化学机械研磨上方绝缘层时，利用相邻的虚置结构可以保护半导体基板上方的电路元件。

主权项

1、一种集成电路，包含：一半导体基板；至少一非挥发性记忆胞元，其具有与该半导体基板隔离的一浮动闸，以及有位于该浮动闸(124)上方的一控制闸(128)，并具有另一导电闸G1(520)，其中导电闸G1(520)是以间隙壁形式形成于由上述浮置闸与控制闸所形成之结构的侧壁；以及一第一周边晶体管(4406)；一第二周边晶体管(4402)；其中该控制闸(128)及该第二周边晶体管(4402)的栅极(128)由一层L1(128)所形成并且该导电闸G1(520)及该第一周边晶体管(4406)的栅极由另一层L2(520)所形成。