[发明专利]可抹除与可程序化的只读存储器元件和制造及操作方法

摘要

本发明涉及可抹除与可程序化的只读存储器元件和制造及操作方法。一第一层的半导体于一基体上方，具有第一导电型。一第一区形成于该基体与该第一层之间，具有第二导电型。一沟槽形成于该第一层的一表面，具有一侧壁以及一底部。一第二区形成于该第一层中，侧向邻接于该沟槽的一上半部，具有该第二导电型。一沟道区于该第一层中，介于该第一区以及该第二区之间，大致延着该沟槽的该侧壁所形成。一导电的浮动栅邻接于该沟道区，且与该沟道区相绝缘。一导电的控制栅，其中的一部分置于该浮动栅上，且与该浮动栅相绝缘。一导电的隧道栅置于该控制栅的一部分之上，且与该控制栅相绝缘。本发明突出效果是不再需要先前技术中所提到的高电压产生基础结构。

主权项

1、一种可抹除与可程序化的只读存储器元件，其特征在于所述只读存储器元件包含有：一基体；一第一层的半导体，于该基体上方，具有一第一导电型；一第一区，形成于该基体与该第一层之间，具有一第二导电型；一沟槽形成于该第一层的一表面，具有一侧壁以及一底部；一第二区形成于该第一层中，侧向邻接于该沟槽的一上半部，具有该第二导电型；一沟道区于该第一层中，介于该第一区以及该第二区之间，延着该沟槽的该侧壁所形成；一导电的浮动栅，邻接于该沟道区，且与该沟道区相绝缘；一导电的控制栅，其中的一部分置于该浮动栅上，且与该浮动栅相绝缘；以及一导电的隧道栅，置于该控制栅的一部分之上，且与该控制栅相绝缘。