[发明专利]半导体制程与内层介电层的制造方法

摘要

本发明是关于一种半导体制程与内层介电层的制造方法，该半导体制程是先对一介电层进行平坦化制程。接着在介电层上形成材料层。之后，在材料层与介电层中形成开口。然后，在后续进行热处理制程时，前述的材料层会变成具有压缩应力的材料层，以防止介电层产生缺陷。另外，本发明亦提供一种内层介电层的制造方法，是先在基底上形成介电层，再对介电层进行平坦化制程。接着，在介电层上形成材料层，其中材料层在经热处理后会转变为具有压缩应力的材料层。因此本发明借着经热处理后会转变为具有压缩应力的材料层，可避免在介电层中产生裂隙的问题，以提升制程的良率。

主权项

1、一种半导体制程，其特征在于其包括：提供一基底，在该基底上具有一介电层；平坦化该介电层；在该介电层上形成一材料层；在该介电层与该材料层内形成一开口；以及进行一热处理制程，使该材料层变成具有压缩应力(compressivestress)的该材料层，以防止该介电层产生缺陷。