[发明专利]能量装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410097336.0 | 申请日： | 2004-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1622380A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 本田和义;大石毅一郎;美藤靖彦;中本贵之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01M10/00 | 分类号： | H01M10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 直接或通过一个底层在一个集流片层上提供的一种负极活性材料薄膜具有多层结构，所述多层结构包括至少两层含有硅作为主要成分的硅薄膜。由此，即使所述负极活性材料薄膜的厚度增加，也可以通过增加硅薄膜的数目而防止一层硅薄膜厚度的增加。因此，在所述硅薄膜中，基本上为倒截锥状的硅颗粒的直径不会增大。因此，在具有主要含有硅来作为负极活性材料的薄膜的能量装置中，即使增加所述负极活性材料层的厚度以获得大的容量，循环特性也不会退化。 | ||
| 搜索关键词： | 能量 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包括集流片层和负极活性材料薄膜的能量装置，其中所述负极活性材料薄膜直接，或通过一个底层在所述集流片层上，其中所述负极活性材料薄膜具有包括至少两层硅薄膜的多层结构，所述硅薄膜含有硅作为主要成分。
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