[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体膜；用第一脉冲线性激光第一次照射所述半导体膜，同时在垂直于所述激光的纵向的方向移动衬底；用第二脉冲线性激光第二次照射半导体膜，同时在垂直于所述激光的纵向的方向移动所述衬底；利用所述半导体膜形成多个含有有源区的薄膜晶体管，每个有源区包括源区、漏区和在源区与漏区之间的沟道区；所述第一和第二次照射的步骤以每个激光脉冲的照射区域部分地被下一个激光脉冲覆盖的方式进行；和每个上述有源区以使所述源区和漏区连成的直线平行于所述第一和第二脉冲线性激光的纵向的方式形成。根据本发明，能极大地抑制各半导体器件特性的分散。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成一个半导体膜；用第一脉冲线性激光第一次照射所述半导体膜，同时在垂直于所述第一脉冲线性激光的纵向的方向移动所述衬底；用第二脉冲线性激光第二次照射所述半导体膜，同时在垂直于所述第二脉冲线性激光的纵向的方向移动所述衬底；利用所述半导体膜形成多个含有有源区的薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的所述有源区包括源区、漏区和在源区与漏区之间的沟道区；其中所述第一次照射和第二次照射的步骤以每个激光脉冲的照射区域部分地被下一个激光脉冲的照射区域覆盖的方式进行；和其中每个上述有源区以使所述源区和漏区连成的直线平行于所述第一和第二脉冲线性激光的纵向的方式形成。