[发明专利]在具有图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种在带图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法。该方法是首先将两硅片制作成硅薄膜厚度符合要求的硅薄膜—二氧化硅—硅键合片，其次将所述的硅薄膜—二氧化硅—硅键合片与具有图形氧化层的绝缘硅基衬底制作成硅—二氧化硅—硅薄膜—绝缘硅基衬底键合片，最后用腐蚀方法除去所述硅—二氧化硅—硅薄膜—绝缘硅基衬底键合片的硅薄膜表面上的硅—二氧化硅层，完成在带图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜。该方法用于微电子机械系统(MEMS)可动部件制造中。

主权项

1、一种在具有图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法，其特征在于：该方法包括有如下步骤：(1)先将两硅片制作成硅薄膜厚度符合要求的硅薄膜—二氧化硅—硅的键合片；(2)将所述的硅薄膜—二氧化硅—硅的键合片与具有图形的氧化层绝缘硅基衬底硅/硅键合成硅—二氧化硅—硅薄膜—绝缘硅基衬底键合片；(3)用腐蚀方法除去所述硅—二氧化硅，获得硅薄膜—绝缘硅基衬底的键合片。