[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200410097839.8 | 申请日： | 2004-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1638142A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 能米雅信;田村彰良;村山启一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种提高高输出化时的破坏耐压的半导体器件，其具有：n型GaAs次集电极层(101)，在集电极层(103)与次集电极层(101)之间形成的n型GaAs中间集电极层(102)，n型GaAs集电极层(103)，p型GaAs基极层(104)，n型InGaP第2发射极层(105)，n型GaAs第1发射极层(106)，n型InGaAs发射极接触层(107)，中间集电极层(102)的杂质浓度比集电极层(103)的杂质浓度高，而且比次集电极层(101)的杂质浓度低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，是异质结双极晶体管，其特征在于具有：集电极层；次集电极层；及在上述集电极层与上述次集电极层之间形成的中间集电极层；上述中间集电极层的杂质浓度比上述集电极层的杂质浓度高，而且比上述次集电极层的杂质浓度低。
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