[发明专利]具有静电释放保护单元的集成电路装置有效

专利信息
申请号: 200410098174.2 申请日: 2004-08-27
公开(公告)号: CN1607664A 公开(公告)日: 2005-04-20
发明(设计)人: 金汉求;李起泰;高在赫;金禹燮;张成必 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种具有输入/输出静电释放(I/OESD)保护单元的集成电路装置。这种集成电路装置包括一种I/O ESD保护单元,其中该I/O ESD保护单元包括连接在I/O衬垫和VDD线之间的VDD ESD保护部件、连接在I/O衬垫和Vss线之间的接地电压(Vss)ESD保护部件以及连接在VDD线和Vss线之间的电源箝位部件,并且I/O ESD保护单元中的VDD ESD保护部件、电源箝位部件以及Vss ESD保护部件之间相互位置邻近,从而它们能连成一条直线,或部分重叠。
搜索关键词: 具有 静电 释放 保护 单元 集成电路 装置
【主权项】:
1.一种具有输入/输出静电释放保护单元的集成电路装置,其中输入/输出静电释放保护单元包括:连接在输入/输出衬垫和VDD线之间的电源供电电压静电释放保护部件;连接在输入/输出衬垫和VSS线之间的接地电压静电释放保护部件;连接在VDD线和VSS线之间的电源箝位部件,其中输入/输出静电释放保护单元中的电源供电电压静电释放保护部件,电源箝位部件以及接地静电释放保护部件之间相互邻近,从而它们能连成一条直线,或布置成部分重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410098174.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top