[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410098206.9 | 申请日： | 2004-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1782831A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 川崎清弘 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/78;H01L21/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是提供一种液晶显示装置及其制造方法，其课题在于针对减少常规制造工序数的制造方法中，当通道长度缩短时，制造余量(margin)变小而成品率降低。本发明的解决手段具备：通过引入半色调(halftone)曝光技术，将扫描线的形成工序和蚀刻终止层的形成工序合理化的新颖技术；和通过在公知技术的源极、漏极布线的阳极氧化工序，引入半色调曝光技术，以将电极端子的保护层形成工序合理化的新颖技术；和利用与公知技术同时形成像素电极和扫描线的合理化技术的技术组合，以构筑TN型液晶显示装置和IPS型液晶显示装置的四道掩膜板工艺、三道掩膜板工艺的发明。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种底部栅极型的绝缘栅极型晶体管，其特征为：在绝缘基板的主面上形成栅极电极，在上述栅极电极的侧面形成绝缘层，同时在上述栅极电极上形成一层以上的栅极绝缘层和不含杂质的第一半导体层，在上述第一半导体层上，形成宽度比上述栅极电极还细的保护绝缘层，在上述保护绝缘层的一部分上和第一半导体层上和绝缘基板上，形成由含杂质的第二半导体层与一层以上的金属层所叠层而构成的源极、漏极布线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广辉电子股份有限公司，未经广辉电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410098206.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
