[发明专利]用于磁性装置的磁性膜无效
| 申请号： | 200410098212.4 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1707614A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 野间贤二;松冈正昭 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;H01L43/00;H01F41/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种能够被实际应用的磁性装置的磁性膜，该磁性膜具有大于2.45T的饱和磁化强度。该磁性膜是一种由铁、钴和钯组成的合金膜。钯的摩尔含量为1－7％，而且该合金膜通过溅射法形成。本发明还提供了另一种磁性膜，该磁性膜含有交替层叠的铁磁性膜以及钯膜或含有钯的合金膜。该钯膜或含有钯的合金膜的厚度为0.05－0.28nm，而且所述层叠的膜通过溅射法或蒸镀法形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁性 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于磁性装置的磁性膜，该磁性膜是由铁、钴和钯组成的合金膜，其中，钯的摩尔含量为1-7％，而且所述的合金膜由溅射法形成。
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