[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200410098272.6 | 申请日： | 1999-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1614767A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种可靠性得到改善的薄膜晶体管。栅极包括具有锥形部分的第一栅极和宽度比第一栅极窄的第二栅极。对半导体层经第一栅极掺入低浓度的磷。在半导体层中，在沟道形成区和n+型杂质区之间形成两种n－型杂质区。一些n－型杂质区与栅极交叠，而其它n－型杂质区不与栅极交叠。由于形成两种n－型杂质区，可降低截止电流，并可抑制性能的退化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造有源矩阵显示器件的方法，所述方法包括如下步骤：形成与半导体层接触的绝缘膜；经该绝缘膜形成与半导体层交叉的栅极；第一次经至少该栅极的一部分将一种导电类型的杂质加入到该半导体层中；以及第二次在没有经过栅极的情况下，将该杂质加入到半导体层；其中栅极侧边和该绝缘膜之间的角度范围是3-60°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
