[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

提供一种可靠性得到改善的薄膜晶体管。栅极包括具有锥形部分的第一栅极和宽度比第一栅极窄的第二栅极。对半导体层经第一栅极掺入低浓度的磷。在半导体层中，在沟道形成区和n⁺型杂质区之间形成两种n^－型杂质区。一些n^－型杂质区与栅极交叠，而其它n^－型杂质区不与栅极交叠。由于形成两种n^－型杂质区，可降低截止电流，并可抑制性能的退化。

主权项

1.一种具有显示器件的电子设备，包括：衬底；形成在该衬底上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：包含至少第一沟道形成区域、第二沟道形成区域、轻掺杂区域和源区及漏区的第一半导体岛；形成在该第一半导体岛上的第一栅绝缘膜；在第一沟道形成区域上形成的第一栅极，第一栅绝缘膜被插入在它们之间；和在第二沟道形成区域上形成的第二栅极，第一栅绝缘膜被插入在它们之间；包括至少一个形成在所述衬底上的第二薄膜晶体管的驱动电路，所述第二薄膜晶体管包括：包含至少第三沟道形成区域的第二半导体岛；形成在所述第二半导体岛上的第二栅绝缘膜；在第三沟道形成区域上形成的第三栅极，第二栅绝缘膜被插入在它们之间；覆盖第一、第二和第三栅极以及所述第一和第二半导体岛的中间层绝缘膜，以及形成在该中间层绝缘膜上的像素电极，并且电连接到第一半导体岛的源区和漏区中的一个，其中每个第一、第二和第三栅极具有锥形边缘，该锥形角度范围在3°-60°。