[发明专利]发光装置有效
| 申请号： | 200410098298.0 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1624944A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 永井阳一;木山诚;中村孝夫;樱田隆;秋田胜史;上松康二;池田亚矢子;片山浩二;吉本晋 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光装置(30)，它具备电阻率 0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置(30)，其中，具备电阻率0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于前述氮化物半导体基板(1)的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从前述氮化物半导体基板(1)看位于比前述n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于前述n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将前述氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，且位于该上侧的电极由1个构成。
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