[发明专利]半导体集成电路装置无效
| 申请号： | 200410098334.3 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1624803A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 黑土健三;高浦则克;外村修;竹村理一郎;寺尾元康;松冈秀行 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C17/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在非易失性相变存储器中，利用相变部的电阻变化来记录信息。如果使相变部发生焦耳热并保持为特定的温度，则成为低电阻状态，但如果此时使用恒定电压源，则由于在相变部的低电阻化的同时流过大电流，故试样被过热，成为高电阻状态。为此，难以稳定地进行相变部的低电阻化。解决方法是，控制存储单元选择用晶体管QM(MISFET)的栅电压，通过在成为低电阻状态时施加中间状态的电压来限制对试样施加的最大电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种具有多个存储单元的半导体存储装置，所述存储单元由设置在多条字线和与所述字线交叉的多条位线的交点上的信息存储部和选择元件构成，其特征在于：在使用所述选择元件进行数据写入时，根据在所述信息存储部中存储的电阻值的状态改变在所述选择元件中流动的电流，从而在所述信息存储部中存储不同的电阻值。
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