[发明专利]共用的去耦电容有效

专利信息
申请号: 200410098352.1 申请日: 2004-12-08
公开(公告)号: CN1710665A 公开(公告)日: 2005-12-21
发明(设计)人: 崔炯讚;金致旭;郑秉勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/407 分类号: G11C11/407;H01L23/58;H03H11/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 郭定辉;黄小临
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 至少一个共用电容器的去耦电容被分布在多个电压源之间,用于增强半导体器件的性能并且具有半导体器件的最小面积。这样的电压源的高节点和低节点的每个包括至少两个相异的节点,用于降低在电压源的噪音。本发明以特别的优点被应用来根据半导体器件的位结构而将可变数量的共用电容器耦接到数据充电电压源。
搜索关键词: 共用 电容
【主权项】:
1.一种用于提供电压的装置,包括:多个电压源,每个耦接在相应的高和低节点之间,所述高节点包括至少两个相异的节点,所述低节点包括至少两个相异的节点;至少一个共用电容器;和开关网络,用于将所述共用电容器耦接到所选择的一个电压源的相应的高和低节点。
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