[发明专利]金属硅化层的制造方法有效
| 申请号： | 200410098357.4 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1787188A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈意维;洪宗佑;江怡颖;谢朝景;张毓蓝 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/321;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属硅化层的制造方法，此方法是于一衬底上形成至少一栅极。然后于此栅极表面形成硬掩模层，并暴露出衬底表面。之后，于暴露出的衬底表面上形成第一金属硅化层，其中，此第一金属硅化层为硅化钴与硅化钛其中之一。接着，去除硬掩模层，以及于栅极表面形成第二金属硅化层，其中，第二金属硅化层是选自包括硅化镍、硅化铂、硅化钯、镍合金的群族其中之一。由于本发明是于衬底表面和栅极表面分别形成不同材料的硅化金属层，因此可同时改善小线宽电阻高的问题，以及解决现有技术中硅化镍容易在源极区域与漏极区域造成的尖峰现象和管涌作用。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属硅化层的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底上形成有至少一栅极；于该栅极表面形成一硬掩模层，并暴露出该衬底表面；于暴露出的该衬底表面上形成一第一金属硅化层，该第一金属硅化层为硅化钴与硅化钛其中之一；去除该硬掩模层；以及于该栅极表面形成一第二金属硅化层，该第二金属硅化层是选自包括硅化镍、硅化铂、硅化钯及镍合金的群族其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
