[发明专利]硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法无效
| 申请号： | 200410098934.X | 申请日： | 2004-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1790632A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王启元;王俊;王建华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/283;C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一半导体衬底；步骤2：在半导体衬底上，预先淀积一层铝，然后原位氧气氛下氧化，形成一层氧化铝预淀积层；步骤3：采用有机化学汽相沉积方式，用高纯三甲基铝有机源和高纯氧气作为反应气体，在半导体衬底上形成的氧化铝预淀积层上，外延生长氧化铝介电薄膜，形成一种高介电常数氧化铝介电薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 介电常数 氧化铝 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一半导体衬底；步骤2：在半导体衬底上，预先淀积一层铝，然后原位氧气氛下氧化，形成一层氧化铝预淀积层；步骤3：采用有机化学汽相沉积方式，用高纯三甲基铝有机源和高纯氧气作为反应气体，在半导体衬底上形成的氧化铝预淀积层上，外延生长氧化铝介电薄膜，形成一种高介电常数氧化铝介电薄膜材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
