[发明专利]一种铁纳米管阵列的合成方法无效

专利信息
申请号: 200410098946.2 申请日: 2004-12-17
公开(公告)号: CN1621338A 公开(公告)日: 2005-06-01
发明(设计)人: 曹化强 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;C21B15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种铁纳米管阵列的合成方法,涉及一种金属纳米材料的制备工艺。该方法是以以硫酸亚铁、硼酸、抗坏血酸为原料,在室温下,配制包括硫酸亚铁、硼酸、抗坏血酸的水溶液作为电解液。将该电解液放置一个电解槽内,将多孔氧化铝膜一面喷金或涂银浆方式制备金导电膜或银导电膜作为电化学反应的阴极,与电源的负极相连,另一面与电解液接触,并将金属铁棒作为电化学反应的阳极一端插入电解液中,另一端与电源的正极相连,接通电源,恒定电源的电流强度为10-20毫安培,即可得到金属铁纳米管阵列。该方法工艺简便,原料易得,可合成外径为80-100纳米,内径为30-50纳米,总长度最长可达到60微米的铁纳米管。本发明可望在微电子器件、磁记录等领域中得到应用。
搜索关键词: 一种 纳米 阵列 合成 方法
【主权项】:
1、一种铁纳米管阵列的合成方法,其特征在于,该方法按如下步骤进行:a.以硫酸亚铁(FeSO4·7H2O)、硼酸(H3BO3)、抗坏血酸为原料,在室温下,配制含有硫酸亚铁、硼酸、抗坏血酸的水溶液作为电解液,硫酸亚铁(FeSO4·7H2O)浓度可在14-20克/100毫升范围,硼酸(H3BO3)浓度可在5-6克/100毫升范围,抗坏血酸浓度可在0.1-0.5克/100毫升范围;b.将多孔氧化铝膜一面用喷金然后烘干得到金膜,作为电化学沉积反应的阴极;c.将上述经上述处理后的多孔氧化铝膜置于电解槽内,将电解液置于膜的另一面上,并将一铁片插入电解液中作为电化学反应的阳极;d.在室温下,接通电源并控制电流为(范围可在10-20毫安),一定时间(范围可在10-110分钟),可得到铁纳米管阵列。
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