[发明专利]金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构

摘要

本发明设计涉及到半导体设备制造技术领域，特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流，包括至少一层原材料气流层，一层隔离气流层，或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底，其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间，减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外，反应室天棚的控温装置，控制反应室天棚的温度，提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积，提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。

主权项

1、一种金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构，含有反应室、喷气口、石墨机座和取样口，其特征在于，喷气口至少有两个气体入口，其一为隔离气入口，在原材料气体入口与反应室天棚之间，喷入的气体形成一“隔离气体层”，将原材料气体与反应室天棚隔开，减少原材料在反应室天棚上的淀积。