[发明专利]一种硅光电二极管的制造方法有效
| 申请号： | 200410099042.1 | 申请日： | 2004-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1797792A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张健亮 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/075;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅光电二极管的制造方法，包含下列步骤：选择一种高电阻率的区熔单晶片作为初始材料，该材料表现为N型；晶片正面开出环状区域作为保护环区，扩散入浓磷；正面采用注入的方法注入P型杂质；淀积一定厚度的氮化硅和氧化层；溅射ALSI作为电极并背面腐蚀减薄硅片。本发明采用氮化硅和氧化层作为光学膜替代了传统的特殊化合物，而氮化硅和氧化层是现有集成电路工艺中经常使用的两种物质，这样该器件的制造能十分方便的与现有集成电路工艺相兼容；同时，采用背面湿法的工艺取代了正面贴膜减薄，不仅达到了减薄的目的，而且不会破坏器件的正面，保障了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅光电二极管的制造方法，包含下列步骤：选择一种高电阻率的区熔单晶片作为初始材料，该材料表现为N型；晶片正面开出环状区域作为保护环区，扩散入浓磷；正面采用光刻和注入的方法注入低剂量的P型杂质，形成光敏感应区；淀积一定厚度的氮化硅和氧化层；采用溅射、光刻和腐蚀的方法使用ALSI作为电极；并采用HNO3+HF背面腐蚀减薄硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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