[发明专利]环氧改性聚芳醚砜嵌段聚丁二烯磺酸质子交换膜及其制备方法无效
申请号: | 200410099192.2 | 申请日: | 2004-12-29 |
公开(公告)号: | CN1670993A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
发明(设计)人: | 张兴鹏;刘盛洲;印杰 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01M4/94 | 分类号: | H01M4/94;C08J5/22;B01D71/80 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种环氧改性聚芳醚砜嵌段聚丁二烯磺酸质子交换膜及其制备方法,通过由低级脂肪酸和过氧化氢原位反应生成过氧酸对部分磺化的聚芳醚砜嵌段聚丁二烯磺酸质子交换膜进行改性,制备环氧改性质子交换膜,其重复结构单元如上式所示;本发明通过环氧化分子结构中的存在的碳碳双键,增强了聚芳醚砜嵌段聚丁二烯磺酸质子交换膜的热稳定性,提高了薄膜的质子电导率,使该质子交换膜可以被应用在更高的温度条件,从而有效的提高了电池的综合性能,在燃料电池领域有着广泛应用前景。 | ||
搜索关键词: | 改性 聚芳醚砜嵌段聚 丁二烯 质子 交换 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种环氧改性聚芳醚砜嵌段聚丁二烯磺酸质子交换膜,其特征在于分子链的重复结构单元如下式所示:a bond;其中,m1=1-60,m2=1-20,p=20-40,n=20-50;质子交换膜厚度为10-100微米、磺化度为2%-20%,在90℃、100%相对湿度下质子电导率为6~20×10-2S/cm。
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