[发明专利]薄膜晶体管和其制造方法有效
| 申请号： | 200410099717.2 | 申请日： | 2004-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1707810A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 徐晋旭;李基龙;梁泰勋;朴炳建 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管和其制造方法。薄膜晶体管包括：形成在衬底上的金属催化剂层，和依次形成在金属催化剂层上的第一帽盖层和第二帽盖层图案。方法包括：在金属催化剂层上形成第一帽盖层，在第一帽盖层上形成并构图第二帽盖层，在已构图的第二帽盖层上形成非晶硅层，扩散金属催化剂，以及结晶非晶硅层形成多晶硅层。以均匀的低浓度扩散结晶催化剂以控制催化剂形成的籽晶的位置，以使得在多晶硅层中的沟道区接近于单晶。因此，薄膜晶体管器件的特性可以得到提高并变得均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底，形成在所述衬底上的金属催化剂层，形成在所述金属催化剂层上的第一帽盖层，形成在所述第一帽盖层上的第二帽盖层图案，和形成在所述第二帽盖层图案上的半导体层图案。
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