[发明专利]室清洁或蚀刻气体再生并循环利用的方法无效
| 申请号： | 200410099728.0 | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1680005A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | D·P·小撒切尔 | 申请（专利权）人： | 波克股份有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/68 | 分类号： | B01D53/68;B01D53/70 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置制造中用于等离子体清洁和腐蚀步骤中选择，使用，再生，和循环利用含氟化合物的方法。该方法包含可再生的含氟化合物的选择，为室清洁或蚀刻而使用可再生的含氟化合物工作流体，和采用顺序的氟化反应和脱氟反应步骤再生含氟化合物工作液体。本发明可有效地使用最具成本效益并安全的室清洁气体，而不对环境造成负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 蚀刻 气体 再生 循环 利用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理从半导体处理室排出的气体的方法，所述的排出气体包括一种低活性的含氟化合物和一种高活性的含氟化合物，所述方法包括：氟化反应步骤，其中所述低活性含氟化合物的浓度增大；脱氟反应步骤，其中所述高活性含氟化合物被选择去除。
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