[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410099754.3 | 申请日： | 2004-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1645630A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 金勋;李基龙;徐晋旭 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过金属诱导横向晶化工艺形成的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括具有源极/漏极区域和沟道区域的有源层、栅极电极、具有暴露每个源极/漏极区域的一部分的接触孔的绝缘层、和暴露有源层的一部分的晶化诱导图案。源极/漏极电极通过接触孔连接到源极/漏极区域，而晶化诱导图案并不将源极/漏极区域连接到源极/漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其包括：具有源极区域、漏极区域和沟道区域的有源层；栅极电极；绝缘层，具有暴露所述源极区域的一部分的第一接触孔，暴露所述漏极区域的一部分的第二接触孔，和暴露所述有源层的一部分的晶化诱导图案；和通过所述第一接触孔连接到所述源极区域的源极电极，和通过所述第二接触孔连接到所述漏极区域的漏极电极，其中所述晶化诱导图案不将所述源极区域连接到所述源极电极或不将所述漏极区域连接到所述漏极电极。
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