[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘无效
| 申请号： | 200410100047.1 | 申请日： | 2004-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1674098A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多个铁磁 耦合 下层 反铁磁 记录 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录盘，包括：一基片；一在该基片上的第一下铁磁层，具有剩磁Mr，厚度t和剩磁-厚度积Mrt；一在该第一下铁磁层上的铁磁耦合层；一在该铁磁耦合层上的第二下铁磁层，有一Mrt；一在该第二下铁磁层上的反铁磁耦合层；和一在该反铁磁耦合层上的上铁磁层，并且其具有一大于该第一和第二下铁磁层Mrt之和的Mrt。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立环球储存科技荷兰有限公司，未经日立环球储存科技荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410100047.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光盘基板成形用模具
- 下一篇：预穿芯棒的定位方法和装置
