[发明专利]薄膜晶体管元件的制造方法有效
| 申请号： | 200410100238.8 | 申请日： | 2004-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1622300A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 甘丰源;林汉涂 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管元件的制造方法，包括形成第一掺杂金属层于绝缘基板上。形成一第二金属层于第一掺杂金属层上。图案化第一掺杂金属层及第二金属层以形成一图案化的金属栅极堆栈结构。将绝缘基板施以一退火工艺，使第一掺杂金属层中的掺杂元素扩散至金属栅极堆栈结构的表面并氧化，以形成一氧化层披覆图案化的金属栅极堆栈结构的侧壁上。形成一栅极绝缘层于绝缘基板上覆盖金属栅极堆栈结构。形成一半导体层于栅极绝缘层上，以及形成一源极与一漏极于部分该半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管元件的制造方法，包括下列步骤：形成一第一掺杂金属层于一绝缘基板上；形成一第二金属层于该第一掺杂金属层上；图案化该第一掺杂金属层及该第二金属层，以形成一图案化的金属栅极堆栈结构；将该金属栅极堆栈结构施以一退火工艺，第一掺杂金属层中的掺杂元素扩散至该金属栅极堆栈结构的表面并氧化，以形成一氧化层披覆该金属栅极堆栈结构的侧壁上；形成一栅极绝缘层于绝缘基板上覆盖该金属栅极堆栈结构；形成一含硅的半导体层于该栅极绝缘层上；以及形成一源极与一漏极于部分该含硅的半导体层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
