[发明专利]集成存储模块制造方法无效
申请号: | 200410100270.6 | 申请日: | 2004-12-10 |
公开(公告)号: | CN1627475A | 公开(公告)日: | 2005-06-15 |
发明(设计)人: | H·费希尔 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G11C7/10;G11C29/00;G11C11/401 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;梁永 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明关于一种制造集成存储模块(10)的方法,所述集成存储模块(10)包含响应外部操作指令以便设定该存储模块的操作状态进而根据该存储模块的一预定规格而执行操作之一指令译码装置(13)。依据本发明,此指令译码装置具有一决定存储器(50),其包含存储位置(Mi,j),其储存容量对来自多个不同规格的一规格而言是足以接收被选择之二直接连续的操作指令对的第二操作指令是否或如何被执行的一决定信息项目。在该指令译码装置(13)被形成之后,于该预定规格内所要求之该决定信息项目乃被写入该决定存储器(50)的该存储器位置。 | ||
搜索关键词: | 集成 存储 模块 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成存储模块制造方法,该存储模块包含一指令译码装置(13),其响应外部操作指令以设定该存储模块之操作状态,进而依据该存储模块之一预定规格其中该指令译码装置乃由集成至少以下组件而形成:-一决定存储器(50),其包含每个被选择的可应用于来自该存储模块之m个不同的规格的一规格中的二直接连续操作指令对(pair)组所用之一指派存储位置(Mi,j),该存储位置之储存容量对该m个规格的一规格而言是足以接收指定该相关对的第二操作指令是否或如何被执行的一决定信息项目;-一保持装置(60),用以缓冲储存每一被接收的外部操作指令直到后续操作指令的接收为止;-一地址装置(BL[1:n],VL[1:n]),其于接收该后续指令时将指派至该指令对以及缓冲储存先前指令的存储位置(Mi,j)予以接入,-一处理器装置(40),其依据包含于该被接入的存储位置(Mi,j)内之决定信息项目而设定该存储模块之该操作状态,以及,于这些组件之集成以后,该预定规格所要求的该决定信息项目被写入该决定存储器(50)之该存储位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司,未经因芬尼昂技术股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410100270.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造