[发明专利]抗蚀图形形成方法、使用该法的微细图形形成方法有效
| 申请号： | 200410100312.6 | 申请日： | 2004-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1629732A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 森尾公隆 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗蚀图形的形成方法，其特征在于，具有下述工序：(A)在基体(10)上形成光致抗蚀剂被膜的工序、(B)经过含有选择性曝光的光刻工序而使上述光致抗蚀剂被膜图形化为具有厚壁部(r1)和薄壁部(r2)的图形形状的工序、以及(C)在进行上述图形形成之后进行UV固化处理而形成具有厚壁部(r1)和薄壁部(r2)的台阶形抗蚀图形(R)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 形成 方法 使用 微细 | ||
【主权项】：
1、一种抗蚀图形的形成方法，其特征在于，具有：(A)在基体上形成光致抗蚀剂被膜的工序、(B)经过含有选择性曝光的光刻工序而使上述光致抗蚀剂被膜图形化为具有厚壁部和薄壁部的图形形状的工序、以及(C)在进行上述图形化之后进行UV固化处理而形成具有厚壁部和薄壁部的台阶形抗蚀图形的工序。
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