[发明专利]带有非磁性籽层间隙结构的感应磁头及其制造方法无效
| 申请号： | 200410100355.4 | 申请日： | 2004-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1677496A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 阿普里尔·D·希克森－戈德史密斯;杰弗里·S·利勒 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/187 | 分类号： | G11B5/187;G11B5/23 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁头，包括第一和第二磁极，且写入间隙层置于二者之间。在第一实施例中，写入间隙层包括非磁性、不导电第一次层，该第一次层优选由Ta或Ti构成，其淀积在第一磁极上以作用为粘结层。写入间隙层还包括第二次层，该第二次层由非磁性、导电材料形成，该材料优选由Rh或Ru构成。P2极尖在第二次层上电镀，其中，导电的第二次层用于导通电镀电流。在另一实施例中，写入间隙层包括第三次层，该第三次层在活性离子蚀刻(RIE)过程中可蚀刻，并且形成在第一和第二次层之间。第三次层优选由Ta或Ti构成。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 磁性 间隙 结构 感应 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁头，包括：第一磁极；第二磁极；写入间隙层，该写入间隙层设置在所述第一磁极和第二磁极之间，其中所述写入间隙层包括至少两个次层，这两个次层包括粘结次层和导电、非磁性次层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立环球储存科技荷兰有限公司，未经日立环球储存科技荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410100355.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
