[发明专利]一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法无效
| 申请号： | 200410100459.5 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1664176A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王宁会;王晓臣;黄耀;戚栋;吴彦;李国锋 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到金属氧化物晶体制备方法，特别涉及到一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法。以申请人的发明申请《一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉》中公布的电弧炉为实施基础，以从感温设备得到的数据和预设的温度场方程计算得到的炉内温度状态作为进行电弧和冷却设备操作的依据，通过电弧和冷却设备的配合工作在炉中形成适宜晶体生长的温度场。本发明的效果和益处是，提出的氧化镁晶体制备方法可以提供适宜的晶体生长环境，大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，有效的节省了能源，显著地降低了成本。另外，该技术也可以用来生长其他高温晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用控温 电弧炉 制备 氧化镁 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法，其所用的控温电弧炉是由炉壳、电极(1)、电极控制机构(15)、水冷装置(10)、水冷装置升降机构(14)、感温探头(17)和控制计算机(16)组成，制备氧化镁晶体的控温电弧炉结构的特征是：(a).炉体侧壁由内保温层(6)，外保温层(8)和它们之间的气隙(7)构程，炉体下壁由金属底板(9)构成；(b).内保温层的外表面，金属底板的下表面以及水冷装置的上表面均匀分布有感温探头(17)；(c).根据控制计算机发出的控制信号，布置在炉底的水冷装置在水冷装置升降机构(14)的驱动下实现与金属底板的接触与分离。
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