[发明专利]以表面浮雕结构来增强载流子迁移率的有机薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200410100501.3 | 申请日： | 2004-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1617367A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 慎重汉;韩国珉;徐银美;巴马托夫·伊夫吉尼;希贝夫·瓦莱里 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/20 | 分类号： | H01L51/20;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请公开了一种有机薄膜晶体管，包括：衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层和源/漏电极，其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。依照本发明，不管是否使用有机绝缘材料，都可得到电性能增强的有机薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 浮雕 结构 增强 载流子 迁移率 有机 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种有机TFT，包括：衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层和源/漏电极，其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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