[发明专利]层积陶瓷电子部件的制造方法无效
| 申请号： | 200410100538.6 | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1767099A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 渡边康夫;远藤健太;高原弥 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30;C04B35/49;C04B35/48;H01B3/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供结构缺陷少、并改善了高温负荷寿命的层积陶瓷电容器等层积陶瓷电子部件的制造方法，这种层积陶瓷电子部件的制造方法的特征在于：具有烧结交互配置多个介电质层用糊剂和含贱金属内部电极层用糊剂的层积体的烧结工序、把该烧结后的层积体在600～900℃的温度T1下进行退火处理的第1退火工序、和把该第1退火后的层积体在900～1200℃(不含900℃)的温度T2下进行退火处理的第2退火工序。 | ||
| 搜索关键词： | 层积 陶瓷 电子 部件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层积陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于：具有烧结交互配置多个介电质层用糊剂和含贱金属内部电极层用糊剂的层积体的烧结工序、把该烧结后的层积体在温度T1下进行退火处理的第1退火工序、和把该第1退火后的层积体在高于温度T1的温度T2下进行退火处理的第2退火工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410100538.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
