[发明专利]半导体激光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410100551.1 | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1617400A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 桥本隆宏 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种半导体激光器件，其具有由覆层和覆层顶部上设置的盖层组成的脊部，以及在脊部的相对横向侧上形成的填充层。盖层的顶表面和填充层的顶表面在盖层的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。制造器件时，在形成填充层以覆盖脊部之后，形成绝缘膜并从绝缘膜选择性地去除脊部上方的部分，以露出填充层。然后，去除露出的填充层，直到露出脊部的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器件，包括：由覆层和在所述覆层的顶部上设置的盖层所组成的脊部；以及在所述脊部的相对横向侧上形成的填充层，其中所述盖层的顶表面和所述填充层的顶表面在所述盖层的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。
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