[发明专利]蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法

摘要

本发明公开一种用蚀刻和/或清洗应用从基体上除去一种物质的方法。在一个实施方案中，提供一种从基体上除去具有介电常数比二氧化硅大的物质的方法，该方法通过该物质与反应剂反应形成挥发性产物，并从基体上除去该挥发性产物，从而从基体上除去该物质，其中该反应剂包括选自由含卤素化合物、含硼化合物、含氢化合物、含氮化合物、螯合物、含碳化合物、氯代硅烷化合物、氢氯化硅烷化合物或有机氯代硅烷化合物所组成之组中的至少一种。

主权项

1.一种用于从反应器表面上除去一种物质的方法，该方法包括：提供一个包含反应器表面的反应器，其中：(a)该反应器至少部分涂覆一层该物质的膜；(b)该物质是选自过渡金属氧化物、过渡金属硅酸盐、13族金属氧化物、13族金属硅酸盐、含氮的13族金属氧化物、含氮的13族金属硅酸盐、含氮的过渡金属氧化物、含氮的过渡金属硅酸盐中的至少一种，或者是一种层压材料，其包括至少一层选自过渡金属氧化物、过渡金属硅酸盐、13族金属氧化物、13族金属硅酸盐、含氮的13族金属氧化物、含氮的13族金属硅酸盐、含氮的过渡金属氧化物或含氮的过渡金属硅酸盐的层；以及(c)该物质的介电常数比二氧化硅的介电常数大；该物质与反应剂反应形成挥发性产物，其中该反应剂包括选自由含卤素化合物、含硼化合物、含碳化合物、含氢化合物、含氮化合物、螯合物、氯代硅烷化合物、氢氯化硅烷或有机氯代硅烷化合物所组成之组中的至少一种；以及从该反应器中除去该挥发性产物，从而从该表面上除去该物质。