[发明专利]辐射检测器无效
| 申请号： | 200410100577.6 | 申请日： | 2004-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1619422A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | L·P·巴克 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00;G01B11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 蔡民军 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 间接检测辐射通量，也即不是检测基本辐射通量自己本身而是检测二次辐射通量。该二次辐射通量由基本辐射通量通过转换成为二次辐射通量。本发明中的测量系统，可以由经荧光层发射的辐射产生的测量信号得出以下量值：EUV辐射的强度，光学组件的光学层的污染量。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 检测器 | ||
【主权项】：
1.检测器装置，包括检测器(31)和测量系统(33)，所述检测器(31)设置为根据入射到所述检测器(31)上的第一类型辐射(39)来提供测量信号给所述检测系统(33)，所述检测器设置在光学组件(24)的附近，其特征在于所述光学组件(24)至少包括-光学层(22)，当所述的检测器组件在使用时，用于接收一定量的第二类型辐射(35)，使所述第二类型辐射(35)的所述量的一部分(41)穿过所述光学层(22)，-涂层(25)，所述部分(41)照射其上，所述涂层(25)将所述部分(41)的至少一部分转换成所述的第一类型辐射(39)，和-基底(27)，对所述第一类型的辐射(39)基本上透明，所述测量装置设置为从所述测量信号获得第二类型辐射(35)的所述一定剂量，所述第二辐射量的强度和所述光学层的污染量(22)中的至少一种。
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