[发明专利]金刚石半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410100654.8 | 申请日： | 2004-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1627535A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 横田嘉宏;川上信之;橘武史;林和志 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种金刚石半导体器件，包括：大致由单晶金刚石制成的基片；第一金刚石层，其局部放置在基片上，含有杂质；第二金刚石层，其含有杂质，所述第二金刚石层局部放置在基片上，且与第一金刚石层隔开；以及第三金刚石层，其杂质含量小于第一和第二金刚石层，充当沟道区，且电荷通过其从第一金刚石层传递到第二金刚石层。第一和第二金刚石层分别具有彼此面对的第一和第二端部，第二端部和第一端部之间形成一空间。第一和第二端部分别具有根据基片取向外延形成的相应倾斜面。第三金刚石层在所述倾斜面和位于空间下面的基片的部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金刚石半导体器件，包括：大体由单晶金刚石制成的基片；第一金刚石层，其局部放置在基片上，含有杂质；第二金刚石层，其含有杂质，所述第二金刚石层局部放置在基片上，并与第一金刚石层隔开；以及第三金刚石层，其杂质含量小于第一和第二金刚石层的杂质含量，充当位于第一和第二金刚石层之间的沟道区，且电荷通过其从第一金刚石层传递到第二金刚石层，其中第一金刚石层具有第一端部，第二金刚石层具有面对第一端部的第二端部，第二端部和第一端部之间形成空间，第一和第二端部分别具有根据基片取向外延形成的相应倾斜面，且第三金刚石层位于第一和第二端部的倾斜面和位于空间下面的基片的部分上。
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