[发明专利]光半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410100656.7 | 申请日： | 2004-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1630150A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 岩井誉贵 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;G11B7/125;G11B7/135;H01S3/101 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种光半导体装置，包括：具有P型的半导体基板(1)、其上形成的P－型外延层(2)、在该上形成的具有N型的阴极表面层(16)、由P－型外延层及阴极表面层形成的光接收元件部分(220)、由在半导体基板及P－型外延层的除光接收元件部分外的区域选择性形成的沟槽部分形成的微反射镜区域(23)、在沟槽部分底面上固定的半导体激光芯片(25)。在半导体基板及P－型外延层之间的光接收元件部分的下侧，选择性地形成比半导体基板及P－型外延层杂质浓度还高的阳极埋层(1a)。这样，能将具有高速动作且高光接收灵敏度的光接收元件部分及搭载半导体激光芯片的发光元件部分形成于一块基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光半导体装置，其特征在于，包括：第一半导体区域，其为第一导电型；第二半导体区域，其为第一导电型，被形成在所述第一半导体区域上；第三半导体区域，其为第二导电型，被形成在所述第二半导体区域上；光接收元件部分，其由所述第二半导体区域及所述第三半导体区域形成；微反射镜，其由沟槽部分构成，所述沟槽部分在所述第一半导体区域及第二半导体区域中除所述光接收元件部分以外的区域内，被选择性形成；和半导体激光元件，其被保持在所述沟槽部分的底面上；在所述第一半导体区域及所述第二半导体区域之间所述光接收元件部分的下侧，选择性地形成第一导电型埋层，其杂质浓度比所述第一半导体区域及所述第二半导体区域的杂质浓度要高。
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