[发明专利]防护环无效
| 申请号： | 200410100715.0 | 申请日： | 2004-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1786261A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赖建兴 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于淀积机台的防护环。当晶片配置于淀积机台上，且防护环配置于晶片周围时，防护环邻近晶片的顶面不低于晶片顶面。此外，当晶片配置于淀积机台上，且防护环配置于晶片周围时，防护环与晶片之间的间距小于0.7毫米。本发明的防护环可使得薄膜在晶片侧壁不会形成侧边淀积的现象，因此可提高薄膜淀积工艺的平坦度与良率。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 | ||
【主权项】：
1.一种用于淀积机台的防护环，当一晶片配置于一淀积机台上，且该防护环配置于该晶片周围时，该防护环邻近该晶片的顶面不低于该晶片顶面。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
