[发明专利]具有金属－绝缘体－金属电容器的半导体器件及制造方法无效
| 申请号： | 200410100720.1 | 申请日： | 2004-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1627477A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 金成勋;申宪宗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种包括金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的半导体器件及其制造方法，在绝缘层上顺序地形成第一金属层和电介质膜。电介质膜被构图，其中剩余部分被合并入MIM电容器中，以及在图案化的电介质膜和第一金属层上形成第二金属层。同时构图第二金属层、图案化的电介质膜以及第一金属层。当形成包括由第一金属层形成的下电极、电介质膜以及由第二金属层形成的上电极时，通过层叠第一和第二金属层来形成互连。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 绝缘体 电容器 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在绝缘层上顺序地形成第一金属层和电介质膜；构图所述电介质膜，形成图案化的电介质膜；在所述图案化的电介质膜和所述第一金属层上形成第二金属层；以及同时构图所述第二金属层、所述图案化的电介质膜以及所述第一金属层，以在所述半导体器件的第一部分上形成包括所述第一和第二金属层的互连，同时在所述半导体器件的第二部分上形成包括由所述第一金属层形成的下电极、所述电介质膜和由所述第二金属层形成的上电极的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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