[发明专利]制备电容器装置中的硬质掩模的方法及用于电容器装置中的硬质掩模无效
| 申请号： | 200410100749.X | 申请日： | 2004-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1645566A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 庄豪仁 | 申请（专利权）人： | 因芬奈昂技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/82;H01L21/3213;H01G13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种制备电容器装置中的硬质掩模的方法及一种用于电容器装置中的硬质掩模，该方法包含如下步骤：向所述电容器装置上涂布光敏溶胶凝胶层，向所述的溶胶凝胶层上形成图案，以形成图案层，和对所述图案层进行热分解处理，以将其转变成为硬质掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 电容器 装置 中的 硬质 方法 用于 | ||
【主权项】：
1.一种制备电容器装置中的硬质掩模的方法，该方法包含如下步骤：向所述电容器装置上涂布光敏溶胶凝胶层，向所述的溶胶凝胶层上形成图案，以形成图案层，和对所述图案层进行热分解处理，以将其转变成为硬质掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
