[发明专利]微米和纳米级多相羟基氧化镍及其制备方法无效
| 申请号： | 200410100831.2 | 申请日： | 2004-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1787256A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 廖代伟;符显珠;李俊;林敬东 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01M4/52 | 分类号： | H01M4/52;H01M4/04;C01G53/02;C01G53/04 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 微米和纳米级多相羟基氧化镍及其制备方法，涉及一种化合物，尤其是一种主要用于电池正极材料的化合物及其制备方法。提供一种储存性好、放电容量高、填充密度大的既含β相又含γ相的微米和纳米级多相羟基氧化镍及其制备方法，并应用于电池正极材料。其化学表达式为HaKbNac(H2O)dNixM1－xO2，其步骤为由镍盐制备氢氧化镍前驱体，再由氢氧化镍制备多相羟基氧化镍。稳定性好，保持有γ相羟基氧化镍的稳定性，用作正极材料制成电池的储存性能好；放电容量大，多相羟基氧化镍可放出多于1个电子的反应，实测容量在261～360mAh/g之间；振实密度高，多相羟基氧化镍保持有β相羟基氧化镍的高密度，其实测密度在1.9～2.5g/cm3之间。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 纳米 多相 羟基 氧化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、微米和纳米级多相羟基氧化镍，其特征在于其化学表达式为： HaKbNac(H2O)dNixM1-XO2，其中：M为铝，钴，锰或锌中的至少一种；下标数字均代表摩尔比： 0＜a＜1， 0≤b＜1 0≤c＜2 0＜d＜1 0.67＜x≤1
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