[发明专利]硅基传感器可动件局部真空密封保护结构的制作方法无效
| 申请号： | 200410101005.X | 申请日： | 2004-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1645059A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 曾大富;刘建华;罗驰;唐喆 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | G01D11/00 | 分类号： | G01D11/00;H01L21/56;H01L23/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基传感器可动件局部真空密封保护结构的制作方法，用硅帽与硅基传感器芯片的可动件进行真空密封性封装，形成可动件局部真空密封保护结构，该方法的工艺步骤包括制作硅帽；按设计的密封环图形制作金属掩模版；向硅基传感器芯片密封环表面上漏印密封浆料；在真空环境下将硅帽与密封浆料封固。本方法用于微电子机械(MEMS)硅基传感器可动件密封面上具有互连线时的局部真空密封保护结构的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 可动件 局部 真空 密封 保护 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅基传感器可动件局部真空密封保护结构的制作方法，将硅帽与硅基传感器芯片的可动件进行真空密封性封装，形成可动件局部真空密封保护结构，其特征在于：该方法包括有如下步骤：(1)制作硅帽；(2)按设计的密封环图形制作金属掩模版；(3)向硅基传感器芯片密封环表面上漏印密封浆料；(4)在真空环境下，将硅帽与密封浆料封固。
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