[发明专利]表面保护膜及使用该膜的表面保护材料无效
申请号: | 200410101198.9 | 申请日: | 2004-12-20 |
公开(公告)号: | CN1637598A | 公开(公告)日: | 2005-07-13 |
发明(设计)人: | 永井亚纪;丸山光则;梶谷邦人 | 申请(专利权)人: | 木本股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;H01L21/027 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;杨青 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的表面保护膜由电离辐射固化型树脂组合物、异氰酸酯预聚物、及脱模剂形成,脱模剂优选聚硅氧烷含量为50重量%以上90重量%以下、数均分子量为5000~20000、丙烯酸酯官能团数为3或3以上的聚硅氧烷丙烯酸酯。该表面保护膜不受清洗溶剂清洗的侵害,而且不受光致抗蚀剂中所含的多元醇或其衍生物等构成的溶剂的侵害,对光致抗蚀剂具有极高的脱模性。 | ||
搜索关键词: | 表面 保护膜 使用 保护 材料 | ||
【主权项】:
1.一种具有脱模性的表面保护膜,其特征在于,至少由电离辐射固化型树脂组合物、及异氰酸酯预聚物形成。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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